BUZ31L H
BUZ31L H
Modello di prodotti:
BUZ31L H
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18353 Pieces
Scheda dati:
BUZ31L H.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:200 mOhm @ 7A, 5V
Dissipazione di potenza (max):95W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:BUZ31LH
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BUZ31L H
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13.5A (Tc)
Email:[email protected]

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