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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BUZ30A
BUZ30A
BUZ30A
Modello di prodotti:
BUZ30A
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19563 Pieces
Scheda dati:
BUZ30A.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:130 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BUZ30A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

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