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BTS282Z E3180A
- Modello di prodotti:
- BTS282Z E3180A
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13618 Pieces
- Scheda dati:
- BTS282Z E3180A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 240µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-7-180 |
| Serie: | TEMPFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Altri nomi: | BTS282ZE3180AINDKR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BTS282Z E3180A |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 232nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Temperature Sensing Diode |
| Descrizione espansione: | N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 49V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BTS282Z E3180A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BTS282ZAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | Inchiesta |
 |
IRFR9010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | Inchiesta |
 |
IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | Inchiesta |
 |
BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | Inchiesta |
 |
BSC034N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | Inchiesta |
 |
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | Inchiesta |
 |
TPN30008NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON | Inchiesta |
 |
MCH3477-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 | Inchiesta |
 |
STF13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP | Inchiesta |
 |
BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | Inchiesta |
|
BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | Inchiesta |
 |
R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | Inchiesta |
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