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BSZ22DN20NS3 G
- Modello di prodotti:
- BSZ22DN20NS3 G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12412 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ22DN20NS3 G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSZ22DN20NS3 G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSZ22DN20NS3 G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 13µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 225 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 34W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSZ22DN20NS3G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GTR SP000781794 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ22DN20NS3 G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 430pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSZ22DN20NS3 G
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