BSZ0501NSIATMA1
BSZ0501NSIATMA1
Modello di prodotti:
BSZ0501NSIATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16632 Pieces
Scheda dati:
BSZ0501NSIATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TSDSON-8-FL
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:SP001281638
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:BSZ0501NSIATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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