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BSS192PH6327XTSA1
- Modello di prodotti:
- BSS192PH6327XTSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18944 Pieces
- Scheda dati:
- BSS192PH6327XTSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 130µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-SOT89 |
| Serie: | SIPMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-243AA |
| Altri nomi: | SP001195030 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSS192PH6327XTSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 104pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSS192PH6327XTSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS192PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | Inchiesta |
 |
2SK3309(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL | Inchiesta |
|
BSS192PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | Inchiesta |
|
BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | Inchiesta |
 |
NDUL09N150CG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 | Inchiesta |
 |
APT20M45BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 | Inchiesta |
 |
BSO203SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO | Inchiesta |
 |
2N7002LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | Inchiesta |
 |
SI6469DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 8TSSOP | Inchiesta |
|
BSS192PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | Inchiesta |
 |
BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Inchiesta |
 |
IPP65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 | Inchiesta |
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