BSS169H6327XTSA1
Modello di prodotti:
BSS169H6327XTSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16939 Pieces
Scheda dati:
BSS169H6327XTSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.8V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-SOT23-3
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:6 Ohm @ 170mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):360mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:BSS169 H6327
BSS169 H6327-ND
BSS169 H6327TR
BSS169 H6327TR-ND
SP000702572
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:BSS169H6327XTSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:68pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.8nC @ 7V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Depletion Mode
Descrizione espansione:N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:170mA (Ta)
Email:[email protected]

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