Acquistare BSS169H6327XTSA1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 1.8V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 360mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | BSS169 H6327 BSS169 H6327-ND BSS169 H6327TR BSS169 H6327TR-ND SP000702572 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSS169H6327XTSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 68pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.8nC @ 7V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Depletion Mode |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |