BSS123LT1
BSS123LT1
Modello di prodotti:
BSS123LT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
15256 Pieces
Scheda dati:
BSS123LT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.8V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):225mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:BSS123LT1OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BSS123LT1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:20pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:170mA (Ta)
Email:[email protected]

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