BSP295L6327HTSA1
BSP295L6327HTSA1
Modello di prodotti:
BSP295L6327HTSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14483 Pieces
Scheda dati:
BSP295L6327HTSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.8V @ 400µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-SOT223-4
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 1.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:BSP295 L6327
BSP295 L6327-ND
BSP295L6327INTR
BSP295L6327INTR-ND
BSP295L6327XT
SP000089210
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BSP295L6327HTSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:368pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

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