BSC196N10NSGATMA1
BSC196N10NSGATMA1
Modello di prodotti:
BSC196N10NSGATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13365 Pieces
Scheda dati:
BSC196N10NSGATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 42µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:19.6 mOhm @ 45A, 10V
Dissipazione di potenza (max):78W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSC196N10NS G
BSC196N10NS G-ND
BSC196N10NS GTR-ND
BSC196N10NSG
SP000379604
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:BSC196N10NSGATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.5A (Ta), 45A (Tc)
Email:[email protected]

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