BSC098N10NS5ATMA1
BSC098N10NS5ATMA1
Modello di prodotti:
BSC098N10NS5ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13585 Pieces
Scheda dati:
BSC098N10NS5ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 36µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:9.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 69W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSC098N10NS5ATMA1-ND
BSC098N10NS5ATMA1TR
SP001241598
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:BSC098N10NS5ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 60A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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