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BLS7G2730LS-200PU
- Modello di prodotti:
- BLS7G2730LS-200PU
- fabbricante:
- Ampleon
- Descrizione:
- RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18758 Pieces
- Scheda dati:
- BLS7G2730LS-200PU.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 32V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT539B |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 200W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SOT539B |
| Altri nomi: | 934067614112 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BLS7G2730LS-200PU |
| Guadagno: | 12dB |
| Frequenza: | 2.7GHz ~ 3GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 2.7GHz ~ 3GHz 12dB 200W SOT539B |
| Descrizione: | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLS7G2730LS-200PU
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLS7G2325L-105,112 | Ampleon USA Inc. | RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A | Inchiesta |
 |
BLS7G2729LS-350P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B | Inchiesta |
 |
BLS7G2729L-350P,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A | Inchiesta |
 |
BLS7G3135LS-200U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLS7G2933S-150,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT9221 | Inchiesta |
 |
PTFB212503ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
BLS7G2730L-200PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A | Inchiesta |
|
BLS7G3135LS-350P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B | Inchiesta |
|
BLS7G3135L-350P,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A | Inchiesta |
 |
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
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