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BDV65B
- Modello di prodotti:
- BDV65B
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 12529 Pieces
- Scheda dati:
- BDV65B.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 100V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 2V @ 20mA, 5A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-93 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 125W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-218-3 |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BDV65B |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93 |
| Descrizione: | TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 5A, 4V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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