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BAS16M3T5G
- Modello di prodotti:
- BAS16M3T5G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19230 Pieces
- Scheda dati:
- BAS16M3T5G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BAS16M3T5G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BAS16M3T5G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.25V @ 150mA |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-723 |
| Velocità: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 6ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-723 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 5 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BAS16M3T5G |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-723 |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 200mA (DC) |
| Capacità a Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BAS16M3T5G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
RH 1ZV | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 600MA AXIAL | Inchiesta |
 |
BAS16TT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75 | Inchiesta |
 |
BAS16DXV6T1 | ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563 | Inchiesta |
 |
MBRB1050-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO263AB | Inchiesta |
|
RF 1BV | Sanken | DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL | Inchiesta |
 |
BAS16HT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 | Inchiesta |
|
VS-10TQ045STRLHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE | Inchiesta |
|
BAS16HT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 | Inchiesta |
 |
BAS16LT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | Inchiesta |
 |
BAS16XV2T1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 | Inchiesta |
|
BAS16XV2T5G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 | Inchiesta |
|
BAS16HT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 | Inchiesta |
|
BAS16DXV6T5G | ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563 | Inchiesta |
 |
SBM540-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 5A POWERMITE3 | Inchiesta |
 |
BAS16WT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70-3 | Inchiesta |
|
BAS16LT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | Inchiesta |
|
BAS16XV2T1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523 | Inchiesta |
|
BAS16DXV6T5 | ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563 | Inchiesta |
 |
BAS16P2T5G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD923 | Inchiesta |
|
BAS16DXV6T1G | ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563 | Inchiesta |
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