AUIRL7766M2TR
Modello di prodotti:
AUIRL7766M2TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12979 Pieces
Scheda dati:
AUIRL7766M2TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ M4
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 31A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric M4
Altri nomi:SP001516036
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:AUIRL7766M2TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5305pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ M4
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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