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AUIRF7379QTR
- Modello di prodotti:
- AUIRF7379QTR
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16013 Pieces
- Scheda dati:
- AUIRF7379QTR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per AUIRF7379QTR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per AUIRF7379QTR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 45 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Potenza - Max: | 2.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001520160 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AUIRF7379QTR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.8A, 4.3A |
| Email: | [email protected] |
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