AUIRF1018ES
AUIRF1018ES
Modello di prodotti:
AUIRF1018ES
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18415 Pieces
Scheda dati:
AUIRF1018ES.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:8.4 mOhm @ 47A, 10V
Dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP001517308
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AUIRF1018ES
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:79A (Tc)
Email:[email protected]

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