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APT68GA60B2D40
- Modello di prodotti:
- APT68GA60B2D40
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 121A 520W TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13537 Pieces
- Scheda dati:
- APT68GA60B2D40.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 40A |
| Condizione di test: | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 21ns/133ns |
| di scambio energetico: | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Serie: | POWER MOS 8™ |
| Potenza - Max: | 520W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT68GA60B2D40 |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 198nC |
| Descrizione espansione: | IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole |
| Descrizione: | IGBT 600V 121A 520W TO-247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 202A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 121A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT68GA60B2D40
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