APT45GR65SSCD10
Modello di prodotti:
APT45GR65SSCD10
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15691 Pieces
Scheda dati:
APT45GR65SSCD10.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 45A
Condizione di test:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:15ns/100ns
Contenitore dispositivo fornitore:D3Pak
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):80ns
Potenza - Max:543W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT45GR65SSCD10
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
carica gate:203nC
Descrizione espansione:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
Descrizione:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Corrente - collettore Pulsed (Icm):224A
Corrente - collettore (Ic) (max):118A
Email:[email protected]

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