APT22F100J
APT22F100J
Modello di prodotti:
APT22F100J
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15919 Pieces
Scheda dati:
1.APT22F100J.pdf2.APT22F100J.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs:380 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):545W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT22F100J
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9835pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:305nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 23A 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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