AOV20S60
AOV20S60
Modello di prodotti:
AOV20S60
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16784 Pieces
Scheda dati:
1.AOV20S60.pdf2.AOV20S60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-DFN-EP (8x8)
Serie:aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:250 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):8.3W (Ta), 278W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-VSFN Exposed Pad
Altri nomi:785-1685-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:AOV20S60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1038pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 3.6A (Ta), 18A (Tc) 8.3W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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