AOU7S65
AOU7S65
Modello di prodotti:
AOU7S65
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13483 Pieces
Scheda dati:
1.AOU7S65.pdf2.AOU7S65.pdf3.AOU7S65.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251-3
Serie:aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:650 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):89W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:AOU7S65-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOU7S65
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:434pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251-3
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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