AOTF11C60P_001
Modello di prodotti:
AOTF11C60P_001
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12128 Pieces
Scheda dati:
AOTF11C60P_001.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOTF11C60P_001
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2333pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 11A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V TO-220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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