AON7932_101
AON7932_101
Modello di prodotti:
AON7932_101
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13052 Pieces
Scheda dati:
AON7932_101.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (3x3)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 6.6A, 10V
Potenza - Max:1.4W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AON7932_101
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:460pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN (3x3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A, 8.1A
Email:[email protected]

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