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AOI4N60
- Modello di prodotti:
- AOI4N60
- fabbricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16198 Pieces
- Scheda dati:
- 1.AOI4N60.pdf2.AOI4N60.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per AOI4N60, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per AOI4N60 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251A |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 104W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| temperatura di esercizio: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AOI4N60 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 640pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 4A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251A |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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