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AFT23H200-4S2LR6
- Modello di prodotti:
- AFT23H200-4S2LR6
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13805 Pieces
- Scheda dati:
- AFT23H200-4S2LR6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-1230-4LS2L |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 45W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-1230-4LS2L |
| Altri nomi: | 935311216128 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AFT23H200-4S2LR6 |
| Guadagno: | 15.3dB |
| Frequenza: | 2.3GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.3GHz 15.3dB 45W NI-1230-4LS2L |
| Descrizione: | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AFT23H200-4S2LR6
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF888B,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | Inchiesta |
 |
MRF6S18100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 | Inchiesta |
 |
PTRA093302DCV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Inchiesta |
 |
AFT23S170-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S | Inchiesta |
|
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | Inchiesta |
 |
MRF7S27130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ NI-780 | Inchiesta |
|
AFT23S160W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ | Inchiesta |
 |
BLF7G27L-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | Inchiesta |
 |
ARF468AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET (VDMOS) | Inchiesta |
|
AFT23S160W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2 | Inchiesta |
 |
ON5257,215 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | Inchiesta |
|
MRF7S38010HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | Inchiesta |
|
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | Inchiesta |
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