Acquistare AFT18S260W31GSR3 con BYCHPS
Acquista con garanzia
AFT18S260W31GSR3
- Modello di prodotti:
- AFT18S260W31GSR3
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- IC TRANS RF LDMOS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13271 Pieces
- Scheda dati:
- 1.AFT18S260W31GSR3.pdf2.AFT18S260W31GSR3.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per AFT18S260W31GSR3, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per AFT18S260W31GSR3 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-780GS-2L2LA |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 50W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-780GS-2L2LA |
| Altri nomi: | 935312554128 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AFT18S260W31GSR3 |
| Guadagno: | 19.6dB |
| Frequenza: | 1.88GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.8A 1.88GHz 19.6dB 50W NI-780GS-2L2LA |
| Descrizione: | IC TRANS RF LDMOS |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.8A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AFT18S260W31GSR3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT18S260W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
AFT18H356-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 | Inchiesta |
|
AFT18S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | Inchiesta |
|
AFT18H357-24NR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | Inchiesta |
|
AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S | Inchiesta |
 |
AFT18HW355SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | Inchiesta |
|
AFT18S230-12NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | Inchiesta |
|
AFT18H357-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 | Inchiesta |
|
AFT18P350-4S2LR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog