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3LP01C-TB-E
- Modello di prodotti:
- 3LP01C-TB-E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 100MA CP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16481 Pieces
- Scheda dati:
- 3LP01C-TB-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 3-CP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 3LP01C-TB-E |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.5pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.43nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 100MA CP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 3LP01C-TB-E
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