Acquistare 3135GN-170M con BYCHPS
Acquista con garanzia
3135GN-170M
- Modello di prodotti:
- 3135GN-170M
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19367 Pieces
- Scheda dati:
- 3135GN-170M.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 3135GN-170M, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 3135GN-170M via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 60V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 150V |
| Tipo transistor: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 55QP |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 185W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 55QP |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 3135GN-170M |
| Guadagno: | 11.5dB ~ 11.8dB |
| Frequenza: | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP |
| Descrizione: | FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP |
| Valutazione attuale: | 5mA |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 3135GN-170M
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PD55003TR-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | Inchiesta |
 |
SPF-2086TK | RFMD | IC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86 | Inchiesta |
 |
MRF1550NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP | Inchiesta |
 |
BLF8G20LS-400PVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | Inchiesta |
 |
3135GN-100M | Microsemi Corporation | TRANSISTOR GAN 55-QP | Inchiesta |
 |
MRFE6VP100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 | Inchiesta |
 |
MRF9120LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-860 | Inchiesta |
 |
BLF2425M7L100J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | Inchiesta |
|
LET9060S | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | Inchiesta |
 |
PTFA080551EV4T500XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | Inchiesta |
 |
SLD-2083CZ | RFMD | FET RF 35V 928MHZ RF083 | Inchiesta |
|
MRFE6VP61K25GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS | Inchiesta |
 |
PTVA120251EAV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MRF5S9150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog