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2SK2917(F)
- Modello di prodotti:
- 2SK2917(F)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18414 Pieces
- Scheda dati:
- 2SK2917(F).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P(N)IS |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 270 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 90W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2SK2917(F) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3720pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 18A (Ta) 90W (Tc) Through Hole TO-3P(N)IS |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SK2917(F)
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