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2SJ649-AZ
- Modello di prodotti:
- 2SJ649-AZ
- fabbricante:
- Renesas Electronics America
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15410 Pieces
- Scheda dati:
- 2SJ649-AZ.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 2SJ649-AZ, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 2SJ649-AZ via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 Isolated Tab |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 48 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Isolated Tab |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 2SJ649-AZ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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