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2SB817C-1E
- Modello di prodotti:
- 2SB817C-1E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PNP 140V 12A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15223 Pieces
- Scheda dati:
- 2SB817C-1E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 140V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 2V @ 500mA, 5A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P-3L |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 120W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi: | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 2SB817C-1E |
| Frequenza - transizione: | 10MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
| Descrizione: | TRANS PNP 140V 12A |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1A, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 12A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SB817C-1E
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