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2SA1179N6-TB-E
- Modello di prodotti:
- 2SA1179N6-TB-E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PNP 50V 0.15A CP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18629 Pieces
- Scheda dati:
- 2SA1179N6-TB-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 3-CP |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2SA1179N6-TB-E |
| Frequenza - transizione: | 180MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 180MHz 200mW Surface Mount 3-CP |
| Descrizione: | TRANS PNP 50V 0.15A CP |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 135 @ 1mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SA1179N6-TB-E
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