2N7000BU
Modello di prodotti:
2N7000BU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15219 Pieces
Scheda dati:
2N7000BU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):400mW (Ta)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:40 Weeks
codice articolo del costruttore:2N7000BU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Tc)
Email:[email protected]

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