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2N6770T1
- Modello di prodotti:
- 2N6770T1
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18943 Pieces
- Scheda dati:
- 2N6770T1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 2N6770T1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 2N6770T1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-254AA |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 500 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2N6770T1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 12A (Ta) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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