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2735GN-100M
- Modello di prodotti:
- 2735GN-100M
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15857 Pieces
- Scheda dati:
- 2735GN-100M.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 60V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 150V |
| Tipo transistor: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 55QP |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 110W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 55QP |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2735GN-100M |
| Guadagno: | 11dB ~ 11.4dB |
| Frequenza: | 2.7GHz ~ 3.5GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.5GHz 11dB ~ 11.4dB 110W 55QP |
| Descrizione: | FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP |
| Valutazione attuale: | 2.5mA |
| Corrente - Test: | 250mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2735GN-100M
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NE5550279A-A | CEL | FET RF 30V 900MHZ 79A | Inchiesta |
 |
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Inchiesta |
 |
BF1202,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B | Inchiesta |
 |
MRF6S19200HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780S | Inchiesta |
 |
ARF460AG | Microsemi Corporation | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | Inchiesta |
 |
2735GN-35M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP | Inchiesta |
 |
CLF1G0060-10U | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A | Inchiesta |
 |
BLF245B,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 65V 18DB SOT279A | Inchiesta |
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