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1N8026-GA
- Modello di prodotti:
- 1N8026-GA
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 15844 Pieces
- Scheda dati:
- 1N8026-GA.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 1N8026-GA, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 1N8026-GA via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.6V @ 2.5A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-257 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-257-3 |
| Altri nomi: | 1242-1113 1N8026GA |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 250°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 1N8026-GA |
| Descrizione espansione: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Through Hole TO-257 |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione: | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 10µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 8A (DC) |
| Capacità a Vr, F: | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 1N8026-GA
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