1N6631US
Modello di prodotti:
1N6631US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17578 Pieces
Scheda dati:
1N6631US.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.4V @ 1.4A
Tensione - inversa (Vr) (max):1100V (1.1kV)
Contenitore dispositivo fornitore:A-MELF
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):60ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:1N6631US
Descrizione espansione:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount A-MELF
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr:4µA @ 1100V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.4A
Capacità a Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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