ZXMN6A09DN8TC
ZXMN6A09DN8TC
Modello di prodotti:
ZXMN6A09DN8TC
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18844 Pieces
Scheda dati:
ZXMN6A09DN8TC.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 8.2A, 10V
Potenza - Max:1.25W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ZXMN6A09DN8TC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1407pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24.2nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.3A 1.25W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.3A
Email:[email protected]

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