Acquistare TPH3206PSB con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.6V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 8V |
| Dissipazione di potenza (max): | 81W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TPH3206PSB |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | GAN FET 650V 16A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |