Acquistare TP2635N3-G con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 15 Ohm @ 300mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TP2635N3-G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 350V 180mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 350V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |