STW19NM65N
STW19NM65N
Modello di prodotti:
STW19NM65N
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15763 Pieces
Scheda dati:
STW19NM65N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247-3
Serie:MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:270 mOhm @ 7.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:497-7033-5
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STW19NM65N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15.5A (Tc)
Email:[email protected]

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