STU13NM60N
STU13NM60N
Modello di prodotti:
STU13NM60N
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16069 Pieces
Scheda dati:
STU13NM60N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:IPAK (TO-251)
Serie:MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:360 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):90W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:STU13NM60N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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