STP4NB100
STP4NB100
Modello di prodotti:
STP4NB100
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19317 Pieces
Scheda dati:
STP4NB100.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:PowerMESH™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.4 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:497-2647-5
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STP4NB100
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Tc)
Email:[email protected]

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