STP18NM60N
STP18NM60N
Modello di prodotti:
STP18NM60N
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15023 Pieces
Scheda dati:
STP18NM60N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:285 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:497-10305-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STP18NM60N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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