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STN3P6F6
- Modello di prodotti:
- STN3P6F6
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V SOT-223
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14820 Pieces
- Scheda dati:
- STN3P6F6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 160 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.6W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | 497-13537-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STN3P6F6 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 48V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 2.6W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V SOT-223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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