STL8N6F7
Modello di prodotti:
STL8N6F7
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13086 Pieces
Scheda dati:
STL8N6F7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie:STripFET™ F7
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 60W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:STL8N6F7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 36A (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

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