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STL19N60M2
- Modello di prodotti:
- STL19N60M2
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18872 Pieces
- Scheda dati:
- STL19N60M2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Serie: | MDmesh™ M2 |
| Dissipazione di potenza (max): | 90W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STL19N60M2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 791pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 21.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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