STFI11NM65N
STFI11NM65N
Modello di prodotti:
STFI11NM65N
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18048 Pieces
Scheda dati:
STFI11NM65N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I2PAKFP (TO-281)
Serie:MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:455 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Altri nomi:497-13388-5
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:STFI11NM65N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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