Acquistare STB80NF55L-08-1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | STripFET™ II |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | 497-12542-5 STB80NF55L-08-1-ND STB80NF55L081 |
| temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | STB80NF55L-08-1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4350pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |